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    申請樣品
    RSU7N65D
    高壓N-溝道多層外延超結MOS
    描述 主要特點 技術文檔

    RSU7N65D是瑞森采用先進的超結工藝制造的N溝道多層外延超結場效應晶體管，通過優化芯片結構，使該產品具有極低的導通內阻和的柵極電荷，能較大地降低產品EMI和開關損耗。廣泛應用于LED驅動，適配器，PD快充，儀器儀表，開關電源等。


    主要特點

      • ID（A） =7，VDSS（V）=650

      • RDS(ON)  Typ（mΩ）=560，Max（mΩ）=650

      • 采用多層外延工藝制作，與Trench工藝相比，具有優異的抗EMI及抗浪涌能力

      • 超小內阻，超小封裝，超低結電容，EMI余量大

    技術文檔
    標題 類型 大小 (KB) 下載完整規格書
    RSU7N65D PDF 1188 RSU7N65D
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