產品中心
Product Center
RS6N65F是瑞森采用先進的平面MOS技術制造的N-溝道場效應晶體管,通過優化芯片結構,使該產品擁有較強的抗沖擊能力,同時具有較低的導通內阻和的柵極電荷,能較大地降低產品EMI和開關損耗。廣泛應用于開關電源,電源適配器、LED驅動等領域。
VDS =650V,ID =6A
RDS(ON) <1.9Ω @ VGS = 10V
抗沖擊能力強
較低的導通電阻
100%的UIS測試
國內熱線:188 2581 2467
海外熱線:186 8863 3325
技術支持:188 2581 0427