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    產品中心

    Product Center

    RS6N65F
    高壓N-溝道平面MOS

    RS6N65F是瑞森采用先進的平面MOS技術制造的N-溝道場效應晶體管,通過優化芯片結構,使該產品擁有較強的抗沖擊能力,同時具有較低的導通內阻和的柵極電荷,能較大地降低產品EMI和開關損耗。廣泛應用于開關電源,電源適配器、LED驅動等領域。


    主要特點
      • VDS =650V,ID =6A

      • RDS(ON) <1.9Ω @ VGS = 10V

      • 抗沖擊能力強

      • 低的導通電阻

      • 100%的UIS測試


    技術文檔
    標題 類型 大小 (KB) 下載完整規格書
    RS6N65F PDF 2000 RS6N65F
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