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    申請樣品
    RS9N50D
    高壓N-溝道場效應晶體管
    描述 主要特點 技術文檔

    RS9N50D是瑞森采用先進的平面MOS技術制造的N-溝道場效應晶體管，通過優化芯片結構，使該產品擁有較強的抗沖擊能力，同時具有較低的導通內阻和的柵極電荷，能較大地降低產品EMI和開關損耗。廣泛應用于開關電源，電源適配器、LED驅動等領域。


    主要特點

      • ID（A） =9，VDSS（V）=500

      • RDS(ON)  Typ（Ω）=0.65，Max（Ω）=0.8

      • 新型的橫向變摻雜技術，專有的功率MOS結構，高溫特性優良

      • 超高電壓，超小內阻，散熱性能好，高溫漏電小，高溫電壓跌落小


    技術文檔
    標題 類型 大小 (KB) 下載完整規格書
    RS9N50D PDF 1188 RS9N50D
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